Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APTGF200U120DG — IGBT 1200V 275A 1136W SP6

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 200A
Ток коллектора (макс)	275A
Мощность макcимальная	1136W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP6