Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT50GN120B2G — IGBT 1200V 134A 543W TMAX

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Ток коллектора (макс)	134A
Мощность макcимальная	543W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	T-MAX