Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT50GF120JRDQ3 — IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 75A
Ток коллектора (макс)	120A
Мощность макcимальная	521W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT50GF120JRDQ3-ND, APT50GF120JRDQ3MI