Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT45GP120BG — IGBT 1200V 100A 625W TO247

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 45A
Ток коллектора (макс)	100A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247
Встречается под наим.	APT45GP120BG-ND, APT45GP120BGMI