Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT45GP120B2DQ2G — IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 45A
Ток коллектора (макс)	113A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	T-MAX
Встречается под наим.	APT45GP120B2DQ2G-ND, APT45GP120B2DQ2GMI