Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	900V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 25A
Ток коллектора (макс)	72A
Мощность макcимальная	417W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247
Встречается под наим.	APT25GP90BG-ND, APT25GP90BGMI

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APT25GP90BDQ1G	Microsemi-PPG	IGBT 900V 72A 417W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 72A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов