Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT25GN120B2DQ2G — IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 25A
Ток коллектора (макс)	67A
Мощность макcимальная	272W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	T-MAX
Встречается под наим.	APT25GN120B2DQ2G-ND, APT25GN120B2DQ2GMI