Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

 
APT200GN60JDQ4

- Габаритный чертеж

APT200GN60JDQ4 — IGBT 600V 283A 682W SOT227

ПроизводительMicrosemi-PPG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 200A
Ток коллектора (макс)283A
Мощность макcимальная682W
Тип входаСтандарт
Тип монтажаChassis Mount
КорпусISOTOP
Встречается под наим.APT200GN60JDQ4MI
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APT200GN60JAPT200GN60JMicrosemi-PPGIGBT 600V 283A 682W SOT227
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 283A  ·  Мощность макcимальная: 682W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
APT200GN60JGMicrosemi-PPGIGBT 600V 283A 682W SOT227
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 283A  ·  Мощность макcимальная: 682W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
APT200GN60JDQ4GMicrosemi-PPGIGBT 600V 283A 682W SOT227
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 283A  ·  Мощность макcимальная: 682W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «APT200GN60JDQ4» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте