Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT200GN60B2G — IGBT 600V 283A 682W TO247

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 200A
Ток коллектора (макс)	283A
Мощность макcимальная	682W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247
Встречается под наим.	APT200GN60B2GMI