Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT100GT120JRDQ4 — IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	Thunderbolt IGBT®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 100A
Ток коллектора (макс)	123A
Мощность макcимальная	570W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT100GT120JRDQ4MI