Дискретные полупроводники · IGBT сборки

Производитель	IXYS
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 75A
Ток коллектора (макс)	125A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	5mA
Емкость @ Vce	5.5nF @ 25V
Мощность макcимальная	500W
Вход	Стандарт
Конфигурация	Three Phase Inverter
NTC термистор	Нет
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	E3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MWI75-12A8T	IXYS	IGBT E9PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 5.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 500W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Three Phase Inverter · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов