Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

MUBW50-17T8 — MODULE IGBT CBI E3

Производитель	IXYS
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 50A
Ток коллектора (макс)	74A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	400µA
Емкость @ Vce	4.4nF @ 25V
Мощность макcимальная	290Вт
Вход	Three Phase Bridge Rectifier
Конфигурация	Three Phase Inverter with Brake
NTC термистор	Да
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	E3