Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

APTGT50A170D1G — IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 50A
Ток коллектора (макс)	70A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	6mA
Емкость @ Vce	4.4nF @ 25V
Мощность макcимальная	310W
Вход	Стандарт
Конфигурация	Half Bridge
NTC термистор	Нет
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	Модуль