Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
CZRER52C10Comchip TechnologyDIODE ZENER 10V 150MW 0503
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 7.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 0503 (1308 metric)  ·  Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PDZ4.7B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 1.0V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C10,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A10,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PDZ13B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 10V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B10,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C10,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4740A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 91MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 7.6V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C11,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A11,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PDZ15B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 11V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C11,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B11,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4741A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 83MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 8.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C12,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 8.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A12,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PDZ16B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 12V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C12,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B12,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
1N4742A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 76MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 9.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZV85-C13,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 9.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX84-A13,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B13,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-B13,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BZX79-C13,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 304  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте