Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BZX79-C62,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 62V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 62V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B62,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 62V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 62V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZV85-C68,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 48V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 200 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C68,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B68,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C68,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B68,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZV85-C7V5,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 4.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 3 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N4737A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 121MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 4 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX84-A7V5,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B7V5,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C7V5,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZV85-C75,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 53V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 225 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX84-A75,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C75,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B75,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B75,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZV85-C8V2,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N4738A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 110MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 4.5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX84-A8V2,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-B8V2,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C8V2,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZV85-C9V1,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 9.1V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 6.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N4739A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 9.1V 100MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX84-A9V1,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 9.1V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 500nA @ 6V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |