Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: транзистор, реле, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Утечка источника напряжения (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток- непрерывная утечка @ 25° C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенность полевого транзистора

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
19MT050XFVishay/SemiconductorsHEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 31A  ·  Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1140W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: 16-MTP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW2N7002DWFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 115MA SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 3,95
до 16,65
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW-72N7002DW-7Diodes IncMOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 9,76Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW-7-F2N7002DW-7-FDiodes IncMOSFET N-CHAN DUAL 60V SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 6,24
до 24,98
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 30MA SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 300mA  ·  Емкость @ Vds: 20pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 3,16Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW-TP2N7002DW-TPMicro Commercial CoMOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 5,20
до 26,02
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002V2N7002VFairchild SemiconductorMOSFET N-CH SOT-563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 5,90
до 21,33
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002V-72N7002V-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 9,60
до 10,93
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VA2N7002VAFairchild SemiconductorMOSFET N-CH SOT-563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 5,90
до 21,33
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VA-72N7002VA-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 15,61
до 35,38
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VA-7-F2N7002VA-7-FDiodes IncMOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 21,85
до 35,38
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VAC-7Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 5,75Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VC-7Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 5,75Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002V-TP2N7002V-TPMicro Commercial CoMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4612AO4612Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 4.5A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 30V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 12,72
до 13,69
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4614AAO4614AAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 40V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 6A, 5A  ·  Емкость @ Vds: 404pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 17,59
до 39,54
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4616AO4616Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.2nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 8.1A, 7.1A  ·  Емкость @ Vds: 1250pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 17,31
до 18,54
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4619AO4619Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 7.4A, 5.2A  ·  Емкость @ Vds: 820pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 15,30
до 40,58
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4620AO4620Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.125nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 7.2A, 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 792pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 16,44
до 36,94
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4622AO4622Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.3A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 7.3A, 5A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 14,20
до 37,98
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4800BAO4800BAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 6.9A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 15,61
до 35,38
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4803AAO4803AAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL P-CH -30V -5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 830pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 16,28
до 43,19
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4805AO4805Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 2500pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 17,77
до 19,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4806AO4806Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 9.4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 9.4A  ·  Емкость @ Vds: 1810pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 21,85
до 49,43
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4807AO4807Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL P-CH -30V -6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V  ·  Утечка источника напряжения (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V  ·  Ток- непрерывная утечка @ 25° C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 920pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенность полевого транзистора: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 19,46
до 43,71
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2012 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайтеВерсия для PDA