Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

SI1035X-T1-E3 — MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  •  Напряжение (Vdss): 20В  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  •  Ток @ 25°C: 180mA, 145mA  •  Полярность: N and P-Channel  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666  •  Встречается под наим.: SI1035X-T1-E3TR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

  Sure Technology  


Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «SI1035X-T1-E3»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SI1035X-T1-E3
транзистор MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
Vishay Siliconix 10004
АО "Контест"SI1035X-T1-E3
Подробнее
SILICONIX 484, 3-4 недели
SI1035X-T1-E3
Подробнее
SILICONIX
SI1035X-T1-E3
Подробнее
VISHAY
SI1035X-T1-E3
Подробнее
VISHAY
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯSI1035X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Vishay Siliconix
SI1035X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Vishay Siliconix
SI1035X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Vishay Siliconix
ООО "Интегральные схемы"SI1035X-T1-E3 от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI1035X-T1-E3 от 7 дней


«SI1035X-T1-E3» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2154 отечественных и 767 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать