Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchMOS™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 20V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 2W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: 568-2354-2, PMV31XN T/R, PMV31XN T/R-ND |