Производитель: Diodes Inc  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 600mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Модуляция частот: 300MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: MMBT5551, MMBT5551-7DITR, MMBT5551DITR, MMBT5551DITR-ND, MMBT5551TR, MMBT5551TR-ND