Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: SIPMOS® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V • Напряжение (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V • Ток @ 25°C: 3A, 2A • Емкость @ Vds: 340pF @ 25V • Полярность: N and P-Channel • Особенности: Стандарт • Мощность макcимальная: 2Вт • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: 8-SOIC • Встречается под наим.: BSO612CV G-ND, BSO612CVGINTR, BSO612CVGT, BSO612CVGXT, BSO612CVT, BSO612CVXTINTR, BSO612CVXTINTR-ND, SP000216307 |