Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BLF6G22LS-100,112 — TRANS BASESTATION 2-LDMOST

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 18.5dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 29A  •  Ток - тестовый: 950mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 25Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 934061129112, BLF6G22LS-100, BLF6G22LS-100-ND
Архив документации

  Sure Technology  


Производители
    Версия для печати
    Страница с результатами, оптимизированная для печати.
    Бросить клич!
    Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

    Поставщики «BLF6G22LS-100112»

    ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
    ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G22LS-100,112
    микросхема интегральная электронная TRANS BASESTATION 2-LDMOST 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21    		NXP Semiconductors 13223


    Контактная информация

    КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
    Icseek Global Limited0  0 Скрыть
    ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
    «BLF6G22LS-100112» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
    Поставщиков: 2164 отечественных и 774 зарубежных
    		 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
    Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
    		 Распечатать