| Характеристики |  Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 2.11GHz • Усиление: 18.5dB • Номинальное напряжение: 65V • Номинал тока: 29A • Ток - тестовый: 950mA • Напряжение - тестовое: 28V • P1dB: 25Вт • Корпус: 2-LDMOST, SOT502B • Встречается под наим.: 934061129112, BLF6G22LS-100, BLF6G22LS-100-ND |
| Архив документации | |
Поставщики «BLF6G22LS-100112» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | | Icseek Global Limited | BLF6G22LS-100,112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | | Icseek Global Limited | BLF6G22LS-100@112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | | АО "Контест" | BLF6G22LS-100,112 (TRANS BASESTATION 2-LDMOST Подробнее) | NXP Semiconductors | – | – | ООО "АН-ЧИП" | BLF6G22LS-100,112 (микросхема интегральная электронная TRANS BASESTATION 2-LDMOST 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 13223 |
|