Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BF1210,115 — MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  •  Частота: 400MHz  •  Усиление: 31dB  •  Номинальное напряжение: 6V  •  Номинал тока: 30mA  •  Коэффициент шума: 0.9dB  •  Ток - тестовый: 19mA  •  Напряжение - тестовое: 5V  •  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: 934060847115, BF1210 T/R, BF1210 T/R-ND
Архив документации

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.