Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BF1210,115 — MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  •  Частота: 400MHz  •  Усиление: 31dB  •  Номинальное напряжение: 6V  •  Номинал тока: 30mA  •  Коэффициент шума: 0.9dB  •  Ток - тестовый: 19mA  •  Напряжение - тестовое: 5V  •  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: 934060847115, BF1210 T/R, BF1210 T/R-ND
Архив документации

  Sure Technology  


Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «BF1210,115»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BF1210,115
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
NXP Semiconductors 14284
ООО "Интегральные схемы"BF1210,115 от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BF1210,115 от 7 дней


«BF1210,115» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2159 отечественных и 761 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать