Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78.7A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1871pF @ 12V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 62.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: LFPak-4  •  Встречается под наим.: 568-2181-1