Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 79W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220AB-3  •  Встречается под наим.: PHP18NQ10T, PHP18NQ10T-ND