Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V  •  Мощность макcимальная: 20Вт  •  Модуляция частот: 25MHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63  •  Встречается под наим.: MJD112G-ND, MJD112GOS