Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  •  Модуляция частот: 8GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  •  Усиление: 17dB  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V  •  Ток коллектора (макс): 50mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  •  Встречается под наим.: BFG67 T/R, BFG67 T/R-ND