Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchMOS™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 340mA • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 830mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: 2N7002K T/R, 2N7002K T/R-ND |