BC817-40W-7 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC817-25W-7	Diodes Inc	TRANS NPN BIPOLAR 45V SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC817-16W-7	Diodes Inc	TRANS NPN BIPOLAR 45V SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC807-40W-7	Diodes Inc	TRANS PNP BIPOLAR 45V SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC817-40W-7 — TRANS NPN BIPOLAR 45V SC70-3

Схожие по характеристикам