Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DXT751-13Diodes IncTRANS BIPO MED PNP 1W SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DB1386R-13Diodes IncTRANS BIPO MED PNP 20V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DB1119S-13Diodes IncTRANS BIPO MED PNP 25V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD2652-72DD2652-7Diodes IncTRANS BIPO NPN 12V 1.5A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 260MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD2661-132DD2661-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 12V 2A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DD2678-132DD2678-13Diodes IncTRANS BIPO NPN 12V 3A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847CT-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 150MW 45V SOT-523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW0281AMJW0281AON SemiconductorTRANS BIPO NPN 150W 260V TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL3281AMJL3281AON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 200V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL3281AGMJL3281AGON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 200V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW3281AMJW3281AON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 230V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW3281AGMJW3281AGON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 230V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL4281AMJL4281AON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 350V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL4281AGMJL4281AGON SemiconductorTRANS BIPO NPN 15A 350V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW21194GMJW21194GON SemiconductorTRANS BIPO NPN 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW21196MJW21196ON SemiconductorTRANS BIPO NPN 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW21196GMJW21196GON SemiconductorTRANS BIPO NPN 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJW21194MJW21194ON SemiconductorTRANS BIPO NPN 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848AW-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 200MW 30V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848CW-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 200MW 30V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848BW-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 200MW 30V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846AW-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847AW-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NJL3281DGON SemiconductorTRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NJL3281DON SemiconductorTRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте