Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ST901TST901TSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN COIL HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 4A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST13003ST13003STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV SOT32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJE3303TUFJE3303TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJE3303H1TUFJE3303H1TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJE3303H2TUFJE3303H2TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJP3307DH2TUFJP3307DH2TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJP3307DTUFJP3307DTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST13007ST13007STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV42STBV42STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 125mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 500µA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV68STBV68STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV45STBV45STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 750mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 950mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJPF13007H2TTUFJPF13007H2TTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST TO-220F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJPF13007TTUFJPF13007TTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST TO-220F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST2310DHIST2310DHISTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN ISOWATT218FX
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50.5 @ 7A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 55Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT-218-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST2001FXST2001FXSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN ISOWATT218FX
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 63Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT218FX
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ802MJ802STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN SILCN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE5852MJE5852STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR PNP HV TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STT818BSTT818BSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR PNP LV SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 517 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Модуляция частот: 1.4GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFN 24 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 250V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 360mW  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFN 38 E6327BFN 38 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 300V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFN 26 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 300V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 360mW  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFN 26 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 300V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 360mW  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFN 18 E6327BFN 18 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 300V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN930PN930Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 45V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте