 |
2N5551 — TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | 2N5551RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5551RLRMG | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | 2N5551RLRAG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP SS 0.6A 160V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5551RL1G | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5551RLRA | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5551RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5551RLRM | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| 2N5551ZL1G | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5551RL1 | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| 2N5551G | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2N5551ZL1 | ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
