 |
NE85633-T1B — TRANS NPN 1GHZ SOT-23
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| NE85633L-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| NE85633-R24-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| NE85633-R25-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | NE85633-T1B-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| NE85633-T1B-R24-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| NE85633-T1B-R25-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
