Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

 

NE85630-T1 — TRANS NPN 1GHZ SOT-323

ПроизводительNEC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Модуляция частот4.5GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Усиление12dB ~ 6dB
Мощность макcимальная150mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Ток коллектора (макс)100mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-323
Встречается под наим.NE85630, NE85630-ND, NE85630CT
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE85630-T1-R25-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE85630-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE85630-T1-ANE85630-T1-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
NE85630-R24-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE85630-R25-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE85630-T1-R24-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE85630-T1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте