Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

 

NE68130-T1 — TRANS NPN 1GHZ SOT-323

ПроизводительNEC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)10V
Модуляция частот7GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
Усиление13.5dB ~ 9dB
Мощность макcимальная150mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 8V
Ток коллектора (макс)65mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-323
Встречается под наим.NE68130, NE68130-ND, NE68130CT
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE68130-T1-ANE68130-T1-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE68130-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE68130-T1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте