NE461M02-T1-AZ | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 · Compression Point (P1dB): 27dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE461M02-AZ	NEC	TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 · Compression Point (P1dB): 27dBm	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE461M02-T1-AZ — TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02

Аналогичные по характеристикам