Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

MRF581 — TRANS NPN 18V 200MA MACRO X

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	18В
Модуляция частот	5GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Усиление	13dB ~ 15.5dB
Мощность макcимальная	2.5Вт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 50mA, 5V
Ток коллектора (макс)	200mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Встречается под наим.	MRF581MI