Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFR505T,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 4dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR520T,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 17dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH17_D75Z | Fairchild Semiconductor | TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH17_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH17_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH17 | Fairchild Semiconductor | TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 800MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF559G | Microsemi-PPG | TRANS NPN 16V 150MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 8dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF555 | Microsemi-PPG | TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF553G | Microsemi-PPG | TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11.5dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF555T | Microsemi-PPG | TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ18A,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 18V 150MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF581 | Microsemi-PPG | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF581G | Microsemi-PPG | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85619-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 12.5dB ~ 6.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE68119-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE68139-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE85639R-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE68139R-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68133-A | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85633-T1B | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE85630-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 12dB ~ 6dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE68130-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE46134-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 500MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 · Compression Point (P1dB): 27.5dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE85634-T1 | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE461M02-T1-AZ | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 · Compression Point (P1dB): 27dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |