Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FMMT5179TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMMTH10TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMMT918TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPS5179 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH11 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZTX325STOA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZTX325STOB | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZTX325STZ | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBTH81 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF PNP SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH81 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF PNP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS3135-50,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 6A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS3135-20,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 2A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS2731-50,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 6A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS3135-65,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS2731-110,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT423A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 500W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V · Ток коллектора (макс): 12A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-423A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS3135-10,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 34Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 1.5A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS2731-20,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V · Ток коллектора (макс): 3A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS2731-10,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 145Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 1.5A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 466L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 6V · Модуляция частот: 22GHz, 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 200mW, 210mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 50mA, 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 460L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 469L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 10V · Мощность макcимальная: 200mW, 250mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 50mA, 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PRF957,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 270mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ31ATC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFQ31ATA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |