Дискретные полупроводники · Неуправляемый вентиль (сборки)

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Ток выпрямленный	250mA (DC)
Прямое напряжение	900mV @ 100mA
Обратный ток утечки	100nA @ 90V
Напряжение DC реверсный	90V
Обратное Время Восстановления	50ns
Тип диода	Avalanche
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Конфигурация диода	1 Pair Coммon Anode
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.	BAS35 T/R, BAS35 T/R-ND

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BAS31,215	NXP Semiconductors	DIODE AVAL SW 90V 250MA SOT-23 Ток выпрямленный: 250mA (DC) · Прямое напряжение: 900mV @ 100mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 90V · Напряжение DC реверсный: 90V · Обратное Время Восстановления: 50ns · Тип диода: Avalanche · Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BAS31,235	NXP Semiconductors	DIODE AVAL SW 90V 250MA SOT-23 Ток выпрямленный: 250mA (DC) · Прямое напряжение: 900mV @ 100mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 90V · Напряжение DC реверсный: 90V · Обратное Время Восстановления: 50ns · Тип диода: Avalanche · Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов