Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

PMGD8000LN,115 — MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	350pC @ 4.5V
Ток @ 25°C	125mA
Емкость @ Vds	18.5pF @ 5V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	200mW
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.	568-2370-1