Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 

NTZD3155CT5G — MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Ток @ 25°C540mA, 430mA
Емкость @ Vds150pF @ 16V
ПолярностьN and P-Channel
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная250mW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-563
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NTZD3155CT1GNTZD3155CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
NTZD3155CT2GON SemiconductorMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NTZD3156CT2GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NTZD3156CT5GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NTZD3156CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NTZD3155CT5G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте