 |
IRF7307PBF — MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7307TRPBF | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 4.3A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7307 | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 4.3A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7307TR | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 4.3A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7307QPBF | International Rectifier | MOSFET HEX N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 4.3A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7307QTRPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 4.3A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца