Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
2N7002VC-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002VAC-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1016X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA, 370mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V/20V .88A SC88-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA, 880mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6306P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.6A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 114pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002VA | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002V | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM5K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6J1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 200MA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6312P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 467pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY2000PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 350mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN DUAL 60V SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6302P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 120mA · Емкость @ Vds: 11pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2040LTS-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Емкость @ Vds: 570pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 890mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6303N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 680mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350pC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 125mA · Емкость @ Vds: 18.5pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6320C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 140mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6306P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6304P | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY4000CZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA, 350mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6601 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.4A, 2.3A · Емкость @ Vds: 390pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.15W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6602 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2.7A · Емкость @ Vds: 240pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.15W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84V-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6604 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.4A, 2.5A · Емкость @ Vds: 570pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.15W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |