Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A
Ток коллектора (макс)	20A
Мощность макcимальная	60Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)
Встречается под наим.	497-5119-5

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	STGP10NC60KD	STMicroelectronics	IGBT N-CH 600V 20A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	STGP10NC60H	STMicroelectronics	IGBT N-CH 600V 20A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов