Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

STGF10NB60SD — MOSFET N-CHAN 10A 600V TO-220FP

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 10A
Ток коллектора (макс)	20A
Мощность макcимальная	25Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)