Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.5V @ 15V, 3A
Ток коллектора (макс)	6A
Мощность макcимальная	48W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	STGD3NB60SDT4	STMicroelectronics	IGBT N-CHAN 6A 600V DPAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Мощность макcимальная: 48W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов