Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

SGP10N60RUFDTU — IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 10A
Ток коллектора (макс)	16A
Мощность макcимальная	75Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)