Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные
 
IRG4BC10SD-L

IRG4BC10SD-L — DIODE IGBT 600V 14.0A TO-262

ПроизводительInternational Rectifier
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Ток коллектора (макс)14A
Мощность макcимальная38Вт
Тип входаСтандарт
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-262-3 (Straight Leads)
Встречается под наим.*IRG4BC10SD-L, IRG4BC10SDL
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRG4BC10SD-LPBFIRG4BC10SD-LPBFInternational RectifierIGBT N-CH W/DIO 600V 14.0A TO262
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 14A  ·  Мощность макcимальная: 38Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-262-3 (Straight Leads)
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «IRG4BC10SD-L» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте